+旋干机
主要应用在半导体、分立器件、科研院所实验室黄
光光刻制程,涵盖2-8英寸晶圆
1.提供在湿法蚀刻工艺后彻底清洗WAFER表面残余化学残液及杂质之功能
2.能够通过工艺所需设定低,高(0—2800RPM)速离心力甩干水份,同时充入加热N2(50-70度)保证晶圆清洗质量
3.清洗后WAFER表面无水痕,颗粒产生量< 30颗(直径0.3UM以上)
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